收藏本站
NTD5413N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
D = 0.5
10
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
Single Pulse
Surface ? Mounted on FR4 Board using 1 sq in pad size, 1 oz Cu
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTD5414NT4G MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NTD5802NT4G MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
NTD5803NT4G MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
NTD5804NT4G MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
NTD5805NT4G MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
NTD5806NT4G MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
NTD5807NT4G MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
NTD5862NT4G MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD5414N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK
NTD5414NT4G 功能描述:MOSFET 30A, 60V, 42mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD560 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220
NTD565 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-3
NTD568 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
NTD569 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
NTD5802N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, Single N−Channel, 101 A DPAK
NTD5802NT4G 功能描述:MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube